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첨단 집적회로 장비 기술 위한 측정 시스템

글쓴이 : Riushop 날짜 : 2017-04-28 (금) 10:14 조회 : 98

선도적 첨단 집적회로 장비 기술을 위한 새로운 측정 시스템
진보된 다중 패턴화 기술 및 EUV 노광 공정을 촉진

 

오버레이.jpg


 KLA-Tencor Corporation(NASDAQ: KLAC)이 10nm 이하 집적회로(IC)의 개발 및 대량 제조를 가능하게 하는 4가지 혁신적 측정 시스템으로 Archer™ 600 오버레이 계측 시스템, WaferSight™ PWG2 패턴 웨이퍼 기하학 측정 시스템, SpectraShape™ 10K 광학적 임계치수(CD) 측정 시스템 및 SensArray® HighTemp 4mm 현장 온도 측정 시스템을 발표했다.


이들 4가지 새로운 시스템은 자체 정렬 4중 패턴화(SAQP) 및 극자외선(EUV) 노광과 같은 첨단 패턴화 기술을 지원할 수 있도록 KLA-Tencor의 독창적인 5D 패턴화 제어 솔루션™의 기능을 확장한다.


KLA-Tencor의 최고 마케팅 책임자 Oreste Donzella는 “선도적 첨단 장비 제조자는 극도로 엄격한 패턴화 사양서에 대응하고 있다”며 “패턴화 오류를 이해하기 위해 칩제조사는 공정 변수를 정량화하고 그 출처를 가려내고 근본 문제를 해결해야 한다”고 말했다.


이어 그는 “새로운 계측 시스템은 엔지니어가 노광 모듈에서 세밀한 스캐너 교정을 명시하고 식각, 필름 및 기타 모듈에서 공정을 개선하는 데 사용할 수 있는 중요 데이터를 생성한다”며 “당사의 새로운 오버레이 계측, 패턴 웨이퍼 기하학, 광 임계치수 및 현장 온도 측정 시스템은 193i 다중 패턴화 성능을 견인하고 조기 EUV 노광 결과의 기초를 제공하는 데 있어 핵심적인 역할을 한다”고 밝혔다.


Archer 600은 이미지 기반의 오버레이 계측 기술을 새로운 광학 및 측정 대상으로 확장하여 칩 제조사가 첨단 로직 및 메모리 기기를 위한 3nm 이하의 OPO(on-product Overlay) 에러를 구현할 수 있도록 한다.


Archer 600의 강화된 생산성은 개선된 스캐너 보정 및 변화(excursion)의 식별을 위한 오버레이의 샘플링 증가를 지원한다. 다수의 Archer 600 시스템은 이미 전세계의 로직 및 메모리 제조업체에서 가장 첨단 장비의 계측에 사용되고 있다.


또한 WaferSight PWG2의 웨이퍼 형상 데이터는 노광 장비에 피드포워드 되어 웨이퍼 스트레스, 특히3D NAND의 고적층 구조에 따른 웨이퍼의 변형으로 인한 오버레이 에러 감소에 사용될 수 있다.


SpectraShape 10K 광학 기반의 계측 시스템은 식각, 화학기계적 평판화(CMP) 및 기타 공정 단계에 따르는 복잡한 IC 소자 구조의 임계치수(CD) 및 삼차원 구조를 측정한다.


소자 구조들의 포괄적인 분석을 위해 SpectraShape 10K는 새로운 편광기능 및 다중 입사각을 장착한 타원계, 그리고 새로운 고휘도 광원의 TruNI™ 광간섭 두께 측정기를 포함하는 다양한 일련의 광학 기술을 채택했다. 이러한 기술은 FinFET 및 3D NAND 소자들과 관련된 여러 임계 매개변수(임계치수, 높이, SiGe 구조형태 및 채널 정공 휨 프로파일 등)의 정확한 측정을 가능하게 한다.


hi
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